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臺積電:摩爾定律依然有效 晶體管將能做到0.1納米

http://finance.sina.com   2019年08月23日 02:16   北京新浪網

  新浪科技訊 8月23日下午消息,據臺灣地區《經濟日報》報道,臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森表示,毋庸置疑的,摩爾定律依然有效且狀況良好,它沒有死掉、沒有減緩、也沒有帶病,並透露晶體管將能做到0.1納米。

  1965年提出的摩爾定律(Moores Law)引領半導體發展超過半世紀,這個定律主要是指芯片上可容納的晶體管數目,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。

  但摩爾定律有沒有走到極限?走到極限未來會是什麼樣的發展?這是近幾年來全球科技界業討論相當多的問題。

  近幾年,互補金屬氧化物半導體(CMOS)先進製程中,最新幾代納米節點的功耗改善程度,已出現明顯的放緩。科技界觀察到,從45納米到14納米的節能數據可以看出,雖然每一代製程,芯片的面積變得越來越小,但能夠達到的能耗縮減幅度卻越來越小,尤其在14納米初期最爲明顯。近二、三年進入更先進的10納米制程,也有類似狀況。這不禁讓人憂心,摩爾定律是否即將走到盡頭?

  對此,在本週開幕的第31屆HotChips大會專題演講中,臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森表示,摩爾定律依然有效且狀況良好。

  對於未來的技術路線,黃漢森認爲像碳納米管(1.2nm尺度)、二維層狀材料等可以將晶體管變得更快、更迷你;同時,相變存儲器(PRAM)、旋轉力矩轉移隨機存取存儲器(STT-RAM)等會直接和處理器封裝在一起,縮小體積,加快數據傳遞速度;此外還有3D堆疊封裝技術。

  黃漢森強調,社會對先進技術的需求是無止境的,他還強調,除了硬件,軟件算法也需要迎頭趕上。

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